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Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

發布時間：2026-02-25 09:57:09     瀏覽：38

　　Onsemi NTTFS6H860NL是一款針對高效能電源管理應用優化的N溝道功率MOSFET器件，特別適合空間受限的現代電子設備設計。其核心競爭力體現在將80V耐壓能力與極低導通電阻(最低16.5mΩ)集成于業界領先的3.3mm×3.3mm微型封裝中，為設計工程師提供了功率密度與能效的完美平衡方案。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

　　關鍵規格參數

　　漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)：80V

　　連續漏極電流(ID)：30A

　　最大導通電阻(RDS(on))：20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ

　　最大柵源電壓(VGS)：±20V

　　脈沖漏極電流(IDM)：122A

　　工作溫度范圍：-55至+175°C

　　尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)

　　功率耗散(最大值)：3.1W(Ta)，42W(Tc)

　　典型應用

　　電源轉換：DC-DC/AC-DC模塊

　　電機驅動：無人機/機器人控制器

　　快充設備：65W USB PD充電器

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品，歡迎咨詢了解。

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