PDI V40-T-50000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO
發(fā)布時間:2024-07-03 09:23:43 瀏覽:2865
在現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計和制造中,精確的頻率控制是至關(guān)重要的。PDI的vc40系列壓控晶體振蕩器(VCXO)正是為了滿足這一需求而設(shè)計的。這款VCXO不僅確保在苛刻的環(huán)境下精確的頻率輸出,還具備超低相位噪聲、低抖動以及在高振動環(huán)境下的優(yōu)異性能,使其成為高精度應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品特性:
超低相位噪聲和低抖動:確保在高精度應(yīng)用中提供穩(wěn)定的頻率輸出。
高振動環(huán)境下的優(yōu)秀性能:適用于各種挑戰(zhàn)性的工作環(huán)境。
標準和定制頻率可選:滿足客戶不同的應(yīng)用需求。
快速原型樣品交付和大規(guī)模生產(chǎn)能力:支持客戶的快速開發(fā)和生產(chǎn)。
封裝尺寸:14.00L x 9.10W x 4.70H (mm)
電氣特性:
| Parameter | LVD5 | LVPECL | Units | |
| Frequency Range" | 40.000000-800.000000 | MHz | ||
| Frequency Stability*1 | All Causes (Max*2 | Per Option | ppm | |
| Frequency Adjustment | Control Voltage Range | 10 to 90 | %Voc | |
| Absolute Pull Range (APR)(Min) | 150 | ppm | ||
| Linearity(Max) | 10 | % | ||
| nput Impedance (Min) | 50K | 0 | ||
| Modulation Bandwidth (Min) | 10 | KHz | ||
| Temperature Range*1 | Operating | Per Option | C | |
| Storage | 55 to+125 | |||
| Supply Current (Max) | No Load | 40 | 65 | mA |
| Load | 1000 Between Outputs | 500 Into Voc-2V | ||
| Duty Cycle | @50%Level | 40 to 60%(45 to 55%option) | ||
| Rise/Fall Times (Max) | Rise Time(20%to 80%Vcc) | 0.4 | 0.5 | n5 |
| Fall Time (80%to 20%Voc) | 0.4 | 0.5 | ||
| Start up Time(Max) | 10 | m5 | ||
| Output Voltage Levels | High | 1.43 Typ,1.60 Max | Vcc-1.025 Min,Vcc-0.95 Typ Vcc-0.88 Max | V |
| Low | 0.90 Min,1.10 Typ | Vcc-1.81 Min,Vcc-1.70 Typ Vcc-1.62 Max | ||
| Differential Voltage | 250 Min,350 Typ,450 Max | 595 Min,750 Typ,930 Max | mV | |
| Pin 2(Tri-State | Enable(High Voltage)(Min) | 70 | %Vcc | |
| Disable (Low Voltage)(Max) | 30 | %Vcc | ||
| Integrated Phase Jitter | 12KHz to 20MHz | 0.3 Typical,1.0 Maximum | 0.2 Typical,1.0 Maximum | p5 |
| Phase Noise (Typical For 155.52 MHz) | 100Hz 0ffset | -110 | dBc/Hz | |
| @1KHz Offset | -130 | |||
| @10KHz Offset | -140 | |||
更多Wi2Wi(PDI) 晶振晶體相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
相關(guān)推薦:
更多Wi2Wi品牌相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
SD11720是一款SiC N溝道功率MOSFET,由Solitron Devices, Inc.推出,專為高效率和可靠性的功率電子應(yīng)用設(shè)計。采用先進的碳化硅技術(shù),提供卓越的電氣和熱性能,適用于工業(yè)和能源應(yīng)用。主要特點包括58A漏極電流、50mΩ導通狀態(tài)電阻和TO-247-3塑料封裝。優(yōu)勢包括低導通電阻的高阻斷電壓、低電容的高速開關(guān)、高工作結(jié)溫能力(高達175°C)和較強的內(nèi)置體二極管性能。應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅(qū)動器、高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器和開關(guān)模式電源。SD11720的高性能和廣泛應(yīng)用使其成為功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組件,滿足現(xiàn)代系統(tǒng)對高效率和高可靠性的要求。
隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統(tǒng)和智能家電等行業(yè)的發(fā)展,對提高這些機電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。本文探討了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定義了歷來使用硅IGBT(Si IGBT)進行功率逆變的電動機的能力。這項創(chuàng)新擴展了幾乎每個行業(yè)的電機驅(qū)動應(yīng)用的能力。
在線留言